摘 要：本文基于人体放电模型对4H-SiC结势垒肖特基（JBS）二极管进行同一电压下的多次脉冲放电，直接对二极管管脚加静电。每次放电后测量器件的I-V特性，并利用透射电镜和扫描电镜分析静电放电后JBS的损伤部位，分析（试读）...
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