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新工艺实现多层单晶硅电路垂直集成-科学导报2026年38期

新工艺实现多层单晶硅电路垂直集成

作者:张梦然 字体:      

美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校研究团队攻破了三维芯片制造领域“最后堡垒”,他们开发出一种在严格热预算限制下,实现多层高性能单晶硅电路垂直集成的工艺。这项突破解决了因晶体管微缩趋近物理极限而面临的芯片(试读)...

科学导报

2026年第38期