摘 要：首次采用逐层原位生长法制备了二维硫化钼/一维酞菁铜（2D-MoS2/1D-CuPc）异质结材料，并系统研究了其气敏特性。通过XRD、XPS、SEM、EDS和FTIR等表征手段证实，CuPc已成功复合于MoS2表面。气敏测试结果表明，A（试读）...