研究人员首创高迁移率非晶P型半导体器件-科学导报2024年27期

研究人员首创高迁移率非晶P型半导体器件

作者：杨晨字体：小中大

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近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率、稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域20余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体技术的发展。相关成果在线发表于《自然》。

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