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一种新型4H-SiCMOSFET器件设计与研究-科技创新与应用2026年04期

一种新型4H-SiCMOSFET器件设计与研究

作者:刘翔宇 唐明旦 王申 王祥太 陈佩莹 字体:      

中图分类号:TN386 文献标志码:A 文章编号:2095-2945(2026)04-0049-05

随着工业发展,高温工作环境越来越多,芯片的稳定性显得越发重要,而普通硅基器件,能承受的工作温度通常在 150C 以下。但在高温中,由于(试读)...

科技创新与应用

2026年第04期