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二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能-发光学报2026年01期

二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能

作者:王宁 张玉 杨苏文 胡煜峰 娄志东 侯延冰 滕枫 字体:      

中图分类号:TN312.8 文献标识码:ADOI:10.37188/CJL.20250220 CSTR:32170.14.CJL.20250220

1引言

随着信息技术的迅猛发展,发光与显示器件的需求持续增长]。胶体半导体量子点(QDs)因其发射波长可调、色纯度高、(试读)...

发光学报

2026年第01期